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R5016ANX
　 　 　 　　 　
　　　　　　　　
Datasheet
l Absolute maximum ratings
Parameter
Drain - Source voltage slope
Symbol
dv/dt
Conditions
V DS = 400V, I D = 16A
T j = 125 ℃
Values
50
Unit
V/ns
l Thermal resistance
　
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　
Parameter
Symbol
Min.
Values
Typ.
Max.
Unit
Thermal resistance, junction - case
Thermal resistance, junction - ambient
Soldering temperature, wavesoldering f or 10s
R thJC
R thJA
T sold
-
-
-
-
-
-
2.5
70
265
℃ /W
℃ /W
℃
l Electrical characteristics (T a = 25°C)
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Values
Typ.
Max.
Unit
Drain - Source breakdown
voltage
Drain - Source avalanche
breakdown voltage
V (BR)DSS
V (BR)DS
V GS = 0V, I D = 1mA
V GS = 0V, I D = 8A
500
-
-
580
-
-
V
V
V DS = 500V, V GS = 0V
　
　
　
Zero gate voltage
drain current
I DSS
T j = 25°C
-
0.1
100
μA
T j = 125°C
-
-
1000
Gate - Source leakage current
Gate threshold voltage
I GSS
V GS(th)
V GS = ±30V, V DS = 0V
V DS = 10V, I D = 1mA
-
2.5
-
-
±100
4.5
nA
V
V GS = 10V, I D = 8A
　
　
　
Static drain - source
on - state resistance
R DS(on)*6
T j = 25°C
-
0.21
0.27
Ω
T j = 125°C
-
0.45
-
Gate input resistance
R G
f = 1MHz, open drain
-
10
-
Ω
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　
　
　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　
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